产品参数
| 产品类型 | 200V N沟道功率MOSFET |
| 漏源电压 | 200V |
| 连续漏极电流 | 52A (Tc=25°C) |
| 脉冲漏极电流 | 220A |
| 导通电阻 | 38mΩ (典型值, Vgs=10V) |
| 封装形式 | TO-220 |
| 最大功耗 | 250W |
| 工作温度 | -55°C ~ +150°C |
| 雪崩能量 | 1700mJ |
产品特点
CQTP52N20 是一款200V N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和高重复峰值电流能力，专为D类音频放大器和PDP应用优化设计。
应用场景
D类音频放大器(300W-650W)PDP维持电路能量恢复应用电源开关
